SNXH100M65L4Q2F2P2G-N1技术参数详情：
- 型号:SNXH100M65L4Q2F2P2G-N1
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:40-PIM/Q2PACK（93x47）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MOD 650V 113A 226W 40-PIM
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:三级反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:113 A
- 功率 - 最大值:226 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，225A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:300 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):14630 pF @ 20 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:175°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:40-PIM/Q2PACK（93x47）
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