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SMMJT350T3G
- 制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
- 类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个，封装：TO-261-4，TO-261AA
- 技术参数：BIP S0T223 PNP 0.5A 300V
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SMMJT350T3G技术参数详情：
- 制造商产品型号：SMMJT350T3G
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：BIP S0T223 PNP 0.5A 300V
- 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 产品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件状态：有源
- 晶体管类型：PNP
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA
- 电压-集射极击穿（最大值）：300V
- 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：-
- 电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
- 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：30 @ 50mA，10V
- 功率-最大值：2.75W
- 频率-跃迁：-
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-261-4，TO-261AA
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