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NXV08A170DB2
- 制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:APM12-CBA
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA
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NXV08A170DB2技术参数详情：
- 型号:NXV08A170DB2
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:APM12-CBA
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:80V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tj）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:0.99 毫欧 @ 80A，10V，1.35 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:195nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:14000pF @ 40V
- 功率 - 最大值:-
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:12-PowerDIP 模块（1.118，28.40mm）
- 供应商器件封装:APM12-CBA
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