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NXH80T120L3Q0P3G
- 制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块，封装:20-PIM/Q0PACK（55x32.5）
- 技术参数：IGBT MOD 1200V 75A 188W 20-PIM
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NXH80T120L3Q0P3G技术参数详情：
- 型号:NXH80T120L3Q0P3G
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:20-PIM/Q0PACK（55x32.5）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MOD 1200V 75A 188W 20-PIM
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:三级反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:75 A
- 功率 - 最大值:188 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，80A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:300 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):18150 pF @ 20 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:20-PIM/Q0PACK（55x32.5）
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