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NXH50C120L2C2ESG 图片
NXH50C120L2C2ESG
  • 制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
  • 类别封装:晶体管 - IGBT - 模块,封装:26-PowerDIP 模块(1,199,47,20mm)
  • 技术参数:IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG
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    专营ON芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,ON(安森美)授权中国代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:NXH50C120L2C2ESG
  • 制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)
  • 描述:IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG
  • 系列:晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 配置:三相反相器,带制动器
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):50A
  • 功率-最大值:20mW
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,50A
  • 电流-集电极截止(最大值):250μA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies):11.897nF @ 20V
  • 输入:三相桥式整流器
  • NTC热敏电阻:是
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:26-PowerDIP 模块(1,199,47,20mm)
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