NXH200T120H3Q2F2STG技术参数详情：
- 型号:NXH200T120H3Q2F2STG
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:56-PIM/Q2PACK（93x47）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MOD 1200V 330A 679W 56-PIM
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:半桥
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:330 A
- 功率 - 最大值:679 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，200A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:500 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):35.615 nF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:无
- 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:56-PIM/Q2PACK（93x47）
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