NXH003P120M3F2PTNG技术参数详情：
- 型号:NXH003P120M3F2PTNG
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:36-PIM（56.7x62.8）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIM
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 技术:碳化硅（SiC）
- 配置:2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):435A（Tj）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 200A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.4V @ 160mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1200nC @ 20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20889pF @ 800V
- 功率 - 最大值:1480W（Tj）
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:36-PIM（56.7x62.8）
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