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NVT2016N090M2
- 制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:T2PAK
- 技术参数:ELITESIC, 16 MOHM, 900 V, M2,T2P
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NVT2016N090M2技术参数详情:
- 型号:NVT2016N090M2
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:T2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:ELITESIC, 16 MOHM, 900 V, M2,T2P
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET(碳化硅)
- 漏源电压(Vdss):900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):148A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):23 毫欧 @ 60A,18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.3V @ 20mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):250 nC @ 18 V
- Vgs(最大值):+22V,-8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5340 pF @ 450 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):789W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:T2PAK
- 封装/外壳:TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),变体
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