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NVMYS4D6N06CTWG
- 制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:LFPAK4（5x6）
- 技术参数：POWER MOSFET 60 V, 4.7 M, 92A, S
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NVMYS4D6N06CTWG技术参数详情：
- 型号:NVMYS4D6N06CTWG
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:LFPAK4（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:POWER MOSFET 60 V, 4.7 M, 92A, S
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20.8A（Ta），92A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.7 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 80A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1530 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），79.5W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:LFPAK4（5x6）
- 封装/外壳:SOT-1023，4-LFPAK
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