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NVMFWS004N10MCT1G
- 制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 5DFN
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NVMFWS004N10MCT1G技术参数详情：
- 型号:NVMFWS004N10MCT1G
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5DFN
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），138A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 48A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 270A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3600 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3.8W（Ta），164W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
- 供应商器件封装:5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）
- 封装/外壳:8-PowerTDFN，5 引线
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