NVMFWD027N10MCLT1G技术参数详情：
- 型号:NVMFWD027N10MCLT1G
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET100 V
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.4A（Ta），28A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 38A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:720pF @ 50V
- 功率 - 最大值:3.1W（Ta），46W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商器件封装:8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
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