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NTBL032N065M3S
- 制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-HPSOF
- 技术参数：SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
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NTBL032N065M3S技术参数详情：
- 型号:NTBL032N065M3S
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:8-HPSOF
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V，18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:44 毫欧 @ 15A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 7.5mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）:+22V，-8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1396 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:227W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-HPSOF
- 封装/外壳:8-PowerSFN
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