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NGTD21T65F2WP
- 制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：模具
- 技术参数：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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NGTD21T65F2WP技术参数详情：
- 制造商产品型号：NGTD21T65F2WP
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：-
- 电流-集电极脉冲(Icm)：200A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，45A
- 功率-最大值：-
- 开关能量：-
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：-
- 25°C时Td（开/关）值：-
- 测试条件：-
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：模具
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