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NGTB20N60L2TF1G
制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-3PFM,SC-93-3
技术参数:IGBT 600V 20A TO3PF
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技术参数详情:
制造商产品型号:NGTB20N60L2TF1G制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:IGBT 600V 20A TO3PF系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):40A电流-集电极脉冲(Icm):80A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.65V @ 15V,20A功率-最大值:64W开关能量:-输入类型:标准栅极电荷:84nC25°C时Td(开/关)值:60ns/193ns测试条件:300V,20A,30 欧姆,15V反向恢复时间(trr):70ns工作温度:175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-3PFM,SC-93-3现在可以订购NGTB20N60L2TF1G,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。