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HUF76113DK8T
- 制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:US8
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 6A US8
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HUF76113DK8T技术参数详情：
- 型号:HUF76113DK8T
- 品牌:Fairchild Semiconductor (Fairchild,仙童或飞兆半导体,已被ONSEMI安森美收购)
- 封装:US8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A US8
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.2nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:605pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2.5W（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-VFSOP（0.091，2.30mm 宽）
- 供应商器件封装:US8
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