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FQU2N50BTU_WS
- 制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
- 类别封装：单端场效应管，I-Pak
- 技术参数：MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
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FQU2N50BTU_WS技术参数详情：
- 制造商产品型号：FQU2N50BTU_WS
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
- 系列：QFET
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：500V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.6A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.3 欧姆 @ 800mA，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：230pF @ 25V
- 功率 - 最大值：2.5W
- 安装类型：通孔
- 产品封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商器件封装：I-Pak
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