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产品参考图片
FQB7P20TM-F085 图片
FQB7P20TM-F085
  • 制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:D2PAK(TO-263AB)
  • 技术参数:MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
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    专营ON芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,ON(安森美)授权中国代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FQB7P20TM-F085
  • 制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)
  • 描述:MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:Automotive, AEC-Q101, QFET?
  • 零件状态:不適用於新設計
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):7.3A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):690 毫欧 @ 3.65A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):25nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):770pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.13W(Ta),90W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:D2PAK(TO-263AB)
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