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FGL60N100BNTD
  • 制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-264-3,TO-264AA
  • 技术参数:IGBT 1000V 60A 180W TO264
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FGL60N100BNTD
  • 制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)
  • 描述:IGBT 1000V 60A 180W TO264
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:不適用於新設計
  • IGBT类型:NPT 和沟道
  • 电压-集射极击穿(最大值):1000V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):60A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):120A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A
  • 功率-最大值:180W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:275nC
  • 25°C时Td(开/关)值:140ns/630ns
  • 测试条件:600V,60A,51 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):1.2μs
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-264-3,TO-264AA
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