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FGH60T65SHD_F155
- 制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
- 类别封装：IGBT - 单路，TO-247-3
- 技术参数：650V FS GEN3 TRENCH IGBT
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FGH60T65SHD_F155技术参数详情：
- 制造商产品型号: FGH60T65SHD_F155
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 功能总体简述: 650V FS GEN3 TRENCH IGBT
- 系列: -
- IGBT 类型: 沟道和场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 650V
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 120A
- 脉冲电流 - 集电极 (Icm): 180A
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，60A
- 功率 - 最大值: 349W
- 开关能量: 1.69mJ（开），630J（关）
- 输入类型: 标准
- 栅极电荷: 102nC
- 25°C 时 Td（开/关）值: 26ns/87ns
- 测试条件: 400V，60A，6 欧姆，15V
- 反向恢复时间（trr）: 34.6ns
- 产品封装: TO-247-3
- 安装类型: 通孔
- 供应商器件封装: TO-247
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