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FDY2001PZ
- 制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SOT-563，SOT-666
- 技术参数：MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F
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FDY2001PZ技术参数详情：
- 制造商产品型号：FDY2001PZ
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：PowerTrench
- 零件状态：停产
- FET类型：2 个 P 沟道（双）
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：150mA
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 欧姆 @ 150mA，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：1.4nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：100pF @ 10V
- 功率-最大值：446mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：SOT-563，SOT-666
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