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FDS9958_F085
- 制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
- 类别封装：场效应管阵列，8-SOIC
- 技术参数：MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
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FDS9958_F085技术参数详情：
- 制造商产品型号：FDS9958_F085
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench
- FET 类型：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.9A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：105毫欧 @ 2.9A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1020pF @ 30V
- 功率 - 最大值：900mW
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC
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