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FDR8702H
- 制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-LSOP（0.130，3.30mm 宽）
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
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FDR8702H技术参数详情：
- 制造商产品型号：FDR8702H
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：PowerTrench
- 零件状态：停产
- FET类型：N 和 P 沟道
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.6A，2.6A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：650pF @ 10V
- 功率-最大值：800mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-LSOP（0.130，3.30mm 宽）
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