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FDN8601
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SuperSOT-3
技术参数：MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDN8601制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：PowerTrench?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.7A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：109 毫欧 @ 1.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：210pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SuperSOT-3现在可以订购FDN8601，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
