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FDG6332C-F085P
制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
技术参数：DUAL NP MOS SC70-6 20V
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技术参数详情：
制造商产品型号：FDG6332C-F085P制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：DUAL NP MOS SC70-6 20V系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：停产FET类型：N 和 P 沟道FET功能：标准漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：700mA（Ta），600mA（Ta）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：300 毫欧 @ 700mA，4.5V，420 毫欧 @ 600mA，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：113pF @ 10V，114pF @ 10V功率-最大值：300mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363现在可以订购FDG6332C-F085P，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
