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产品参考图片
FDG6303N_G 图片
FDG6303N_G
  • 制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 技术参数:INTEGRATED CIRCUIT
  • (专注销售ON电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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    专营ON芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,ON(安森美)授权中国代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FDG6303N_G
  • 制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)
  • 描述:INTEGRATED CIRCUIT
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):25V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):500mA
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):2.3nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V
  • 功率-最大值:300mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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