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FDFM2N111
- 制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：MicroFET 3x3mm
- 技术参数：MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET
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FDFM2N111技术参数详情：
- 制造商产品型号：FDFM2N111
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：PowerTrench
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 4A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：3.8nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：273pF @ 10V
- FET功能：肖特基二极管（隔离式）
- 功率耗散（最大值）：1.7W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：MicroFET 3x3mm
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