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FDB8860_F085
- 制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
- 类别封装：单端场效应管，DPAK
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
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FDB8860_F085技术参数详情：
- 制造商产品型号：FDB8860_F085
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- 系列：PowerTrench
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.3 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：214nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：12585pF @ 15V
- 功率 - 最大值：254W
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：DPAK
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