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FCH190N65F_F085
- 制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
- 类别封装：FET - 单，TO-247-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
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FCH190N65F_F085技术参数详情：
- 制造商产品型号: FCH190N65F_F085
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
- 系列: SuperFET II
- FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能: 标准
- 漏源极电压（Vdss）: 650V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 20.6A（Tc）
- 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 190 毫欧 @ 27A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 82nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 3181pF @ 25V
- 功率 - 最大值: 208W
- 安装类型: 通孔
- 产品封装: TO-247-3
- 供应商器件封装: TO-247
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