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产品参考图片
FCD4N60TF 图片
FCD4N60TF
  • 制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:D-Pak
  • 技术参数:MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
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    专营ON芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,ON(安森美)授权中国代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FCD4N60TF
  • 制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:SuperFET?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):3.9A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.2 欧姆 @ 2A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):16.6nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):540pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):50W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:D-Pak
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