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ECH8620-TL-E
- 制造厂商：ON（安森美，ONSEMI）
- 类别封装：FET - 阵列，8-SMD
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8
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ECH8620-TL-E技术参数详情：
- 制造商产品型号: ECH8620-TL-E
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 功能总体简述: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8
- 系列: -
- FET 类型: N 和 P 沟道
- FET 功能: 逻辑电平门
- 漏源极电压（Vdss）: 100V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2A，1.5A
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 260 毫欧 @ 1A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 13.8nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 650pF @ 20V
- 功率 - 最大值: 1.3W
- 安装类型: 表面贴装
- 产品封装: 8-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装: 8-ECH
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