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ON安森美半导体产品型号:NTZD3156CT1G - 场效应管阵列 - SOT-563
图片信息
NTZD3156CT1G封装图片
24小时提供ON安森美的最新产品报价
基本参数:
  • 制造商:ON公司(中文名:安森美半导体)
  • 出厂封装:SOT-563
  • 功能类别:场效应管阵列
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  • 参数详情:

    制造商零件编号:NTZD3156CT1G
    制造商:ON Semiconductor
    描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
    系列:-
    FET 类型:N 和 P 沟道
    FET 功能:逻辑电平门
    漏源极电压 (Vdss):20V
    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):540mA,430mA
    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.5nC @ 4.5V
    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):72pF @ 16V
    功率 - 最大值:250mW
    安装类型:表面贴装
    封装/外壳:SOT-563,SOT-666
    供应商器件封装:SOT-563

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