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ON安森美半导体产品型号:NTZD3152PT1H - FET - 阵列 - *
图片信息
NTZD3152PT1H封装图片
24小时提供ON安森美的最新产品报价
基本参数:
  • 制造商:ON公司(中文名:安森美半导体)
  • 出厂封装:*
  • 功能类别:FET - 阵列
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  • 参数详情:

    原厂标准完整型号: NTZD3152PT1H
    制造厂家名称: ON Semiconductor
    功能总体简述: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
    系列: -
    FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
    FET 功能: 标准
    漏源极电压(Vdss): 20V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 430mA
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 900 毫欧 @ 430mA,4.5V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250μA
    不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 2.5nC @ 4.5V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 175pF @ 16V
    功率 - 最大值: 250mW
    安装类型: *
    封装/外壳: *
    供应商器件封装: *

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