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NTMSD6N303R2
  • 制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-SOIC
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
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    专营ON芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,ON(安森美)授权中国代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:NTMSD6N303R2
  • 制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:FETKY?
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):6A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):32 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):950pF @ 24V
  • FET功能:肖特基二极管(隔离式)
  • 功率耗散(最大值):2W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-SOIC
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