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ON安森美半导体产品型号:NTMFS5C646NLT1G - 单端场效应管 - 5-DFN
图片信息
NTMFS5C646NLT1G封装图片
24小时提供ON安森美的最新产品报价
基本参数:
  • 制造商:ON公司(中文名:安森美半导体)
  • 出厂封装:5-DFN
  • 功能类别:单端场效应管
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  • 参数详情:

    制造商零件编号:NTMFS5C646NLT1G
    制造商:ON Semiconductor
    描述:MOSFET N-CH 60V 32A SO-8FL
    系列:-
    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
    FET 功能:逻辑电平门
    漏源极电压 (Vdss):60V
    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):19A(Ta)
    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.7 毫欧 @ 50A,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33.7nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2164pF @ 25V
    功率 - 最大值:3.1W
    安装类型:表面贴装
    封装/外壳:8-PowerTDFN, 5 引线
    供应商器件封装:5-DFN(5x6)

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