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ON安森美半导体产品型号:NTLJD3182FZTAG - 单端场效应管 - 6-WDFN
图片信息
NTLJD3182FZTAG封装图片
24小时提供ON安森美的最新产品报价
基本参数:
  • 制造商:ON公司(中文名:安森美半导体)
  • 出厂封装:6-WDFN
  • 功能类别:单端场效应管
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  • 参数详情:

    制造商零件编号:NTLJD3182FZTAG
    制造商:ON Semiconductor
    描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
    系列:-
    FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
    FET 功能:二极管(隔离式)
    漏源极电压 (Vdss):20V
    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.2A(Ta)
    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):100 毫欧 @ 2A,4.5V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.8nC @ 4.5V
    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):450pF @ 10V
    功率 - 最大值:710mW
    安装类型:表面贴装
    封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘
    供应商器件封装:6-WDFN(2x2)

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