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产品参考图片
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NGB8204ANT4G
  • 制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
  • 类别封装:单路IGBT,D2PAK
  • 技术参数:IGBT 430V 18A 115W D2PAK3
  • (专注销售ON电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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    专营ON芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,ON(安森美)授权中国代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:NGB8204ANT4G
  • 制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)
  • 描述:IGBT 430V 18A 115W D2PAK3
  • 系列:-
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):430V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):18A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):50A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.5V @ 4V,15A
  • 功率 - 最大值:115W
  • Switching Energy:-
  • 输入类型:逻辑
  • Gate Charge:-
  • 25°C 时 Td(开/关)值:-
  • Test Condition:-
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 产品封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 安装类型:表面贴装
  • 供应商器件封装:D2PAK
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