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基本参数:
参数详情:
原厂标准完整型号: NDBA100N10BT4H
制造厂家名称: ON Semiconductor
功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 100A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 6.9 毫欧 @ 50A,15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2950pF @ 50V
功率 - 最大值: 110W
安装类型: *
封装/外壳: *
供应商器件封装: *

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