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产品参考图片
FW349-TL-E 图片
FW349-TL-E
  • 制造厂商:ON(安森美,ONSEMI)
  • 类别封装:FET - 阵列,8-SOIC
  • 技术参数:MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP
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    专营ON芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,ON(安森美)授权中国代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号: FW349-TL-E
  • 制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI,SANYO)
  • 功能总体简述: MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP
  • 系列: -
  • FET 类型: N 和 P 沟道
  • FET 功能: 逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss): 45V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 5A,4.5A
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 37 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 18.1nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 860pF @ 20V
  • 功率 - 最大值: 1.8W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 产品封装: 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装: 8-SOP
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