制造商零件编号：EFC6602R-TR
制造商：ON Semiconductor
描述：MOSFET 2N-CH EFCP
系列：-
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：-
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：-
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：55nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-XFBGA
供应商器件封装：6-EFCP （2.7x1.81）